氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体，其在多种电力电子利用中的利用在不停增加。这是因为这类质料的特别机能，在功率密度、耐高暖和在高开关频次下事情方面优于硅 (Si)。
持久从此，在电力电子范畴占主宰职位的硅险些已到达其物理超越极限，进而将电子研讨转向可以或许供给更大功率密度和更好动力效力的质料。GaN 的带隙 (3.4 eV) 大概是硅 (1.1 eV) 的 3 倍，供给更高的临界电场，同时下降介电常数，进而下降 R DS( on)在给定的阻断电压下。与硅比拟（在更大水平上，与碳化硅 [SiC]）比拟，GaN 的热导率更低（约为 1.3 W/cmK，而在 300K 时为 1.5 W/cmK），须要认真想象结构和恰当的开辟出可以或许有用散热的封装手艺。经过用 GaN 晶体管取代硅基器件，工程师也许想象出更小、更轻、能量丧失更少且本钱更低的电子零碎。
受汽车、电信、云零碎、电压变换器、电动汽车等利用范畴对日趋高效的办理计划的需要的鞭策，鉴于 GaN 的功率器件的墟市据有率在快速增加。在本文中，咱们将先容 GaN 的一点儿利用，这些利用不但代表了手艺挑衅，并且最关键的是，代表了扩展墟市的新兴时机。
1月5日晚，江西省上饶市万年县群众当局与上海格晶半导体无限公司进行了互助签约典礼。
典礼上，万年县当局副县令张东与格晶半导体董事长白俊春等列席，并就氮化镓第三代半导体财产假名目停止了签约。
上海格晶半导体无限公司的氮化镓第三代半导体财产假名目总投资达25亿元，产物首要客户有华为海思、小米、VIVO、OPPO等手机厂商，和复兴通信民主、CETC军用雷达、吉祥汽车快充等。名目投产后可实行年产5万片8寸GaN功率器件，办理700人失业，成为江西省第一家，华夏第二家量产氮化镓车载功率器件的晶圆厂。同时，该名目的落地，将助力万年县财产构造调解，弥补万年县半导体范畴高端创制业空缺。
3月2日，SweGaN官网颁布发表，他们在瑞典林雪平的立异质料集群扶植一个新总部，包罗一个大范围的半导体出产举措措施。据悉，SweGaN是一家为电信、卫星、国防和电力电子利用创制定制的碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 内涵晶圆（鉴于怪异的发展手艺）的公司。
报导称，该名目方案至今年第二季度末完结，将摆设立异创制工艺，以多量量出产下一代 GaN-on-SiC 工程内涵晶圆，估计年产能将高达4万片4/6英寸内涵片。
并且，2022年9月，该扩产名目就已取得1200 万欧元（约8300万钱） A 轮融资的撑持，以满意5G民主、国防雷达、低路线卫星通讯和电动汽车车载充电器首要供给商的墟市需要。
另外，2022年7月，SweGaN还取得了一次投资，获投金额与本次融资本额附近（约8216万元钱），资本将用于扩展职工数目，并扶植新的出产线。
SweGaN于2022年透露表现，估计几年后，公司年生意额将从2021年的1700万瑞典克朗增添到2亿瑞典克朗（约1.3亿元钱），营收目的做到“数十亿”。
3月6日，“嘉兴城南”官微发文称，博康(嘉兴)半导体总投资约6亿元的氮化镓射频功率芯片先河线名目正式完工，该名目占高空积46667平方米，此中一期用地约33200平方米。此中一期用地约33200平方米。该名目对准第三代半导体新质料范畴，集产物研发、出产、发卖等功效为一体。
这次落户的博康半导体产物将笼盖电信根底举措措施、射频动力及各种通用墟市的利用，为5G搬动通信民主、宽频带通讯等射频范畴供给半导体产物及办理计划。
公然材料显现，博康（嘉兴）半导体树立于2022年10月，公司主生意务包罗半导体分立器件创制、发卖及办事等。
并且，3月3日，嘉兴市大众资本买卖中间揭晓投标通告称，博康（嘉兴）半导体年产3000片氮化镓射频功率芯片先河线名目想象对外推销动工总承包，投标预算价约为1.9亿元。
按照通告，博康的氮化镓名目位于浙江嘉兴经开区，总工期用时一年摆布，将新建产业厂房30543平米，并引进光刻机、磁控溅射机等装备约100台套用于出产海内手艺赶上的通讯誉氮化镓射频芯片先河线片。
3月13日，济宁国度高新手艺财产开辟区公示了山东加睿晶欣年产10万片2英寸氮化镓单晶衬底名目环评表。
该GaN名目于2019年3月完工扶植，总投资15亿元，总修建面积10.1万平米，扶植涵盖出产车间、研发中间、检测等全系列财产链的尺度化园区。
按照通告，该名目一期将购买晶体发展炉、庞大多线切割机、主动倒角机等进步前辈装备266台（套），构成长晶、切割、抛光、激光剥离等全链条出产线万片。
4月26日，江西中科半导体官网揭晓了他们扶植的“第三代半导体氮化镓质料财产假名目（一期）环评第二次公示”。
按照环评陈述，该名目（一期）位于江西吉安井冈山经开区，名目投资本额为 2 亿元，占高空积约50亩，将新建厂房及从属配套举措措施约3万平方米，建成后构成年产 1.5 万片硅衬底氮化镓内涵片质料。
此中，6英寸硅衬底氮化镓内涵片质料的计划年产能为 10000 片，8 英寸硅衬底氮化镓内涵片质料的计划年产能为 5000 片。
除该名目外，吉安中科还在江西赣州扶植了氮化镓名目——2021年8月，吉安中科的全资子公司深圳中科扶植的“氮化镓内涵片质料和氮化镓单晶衬底质料的研收回产名目”正式签约落户于赣州经开区，总投资本额为2亿元。
4月27日下战书，合肥光电半导体财产手艺研讨院驱动典礼日前在合肥高新区进行。
驱动典礼上，面向AR成像与显现一体单片集成器件想象、自立智能无人零碎、超低介电常数与超低丧失B5G/6G毫米波质料、氮化镓HEMT功率器件的研发及财产化、面向储能和充电桩范畴的GaN高功率器件利用、微米光刻装备及其焦点暴光器件的研发与财产化、无机微米diode工艺及装备研发与财产化、光伏发电真空玻璃等八个名目停止了会合签约。
别的，合肥光电半导体财产手艺研讨院宽禁带半导体手艺尝试室、特种封测手艺尝试室、光电制备与检测手艺尝试室、智能光电机手艺尝试室、微波与红外手艺尝试室等五个尝试室也正式树立。
合肥光电半导体财产手艺研讨院（合肥复熵光电科技无限公司）备案树立于2022年12月，由沉学础院士、迟力峰院士领衔组装，依靠复旦大学音讯学院和中科院上海手艺物理研讨所的研发团队，制造“财产立异式”新式研发机构。在2023年2月进行的“科大硅谷”焦点区二期开园三期完工暨名目会合签约典礼上，合肥光电半导体财产手艺研讨院等9家科创平台名目代表停止了会合签约。
6月26日上昼，由好广州研讨院与新加坡IC Carrier Technoindexies Pte Ltd（简称ICCT）互助共建的“氮化镓器件和集成电路进步前辈封装手艺研讨中间”，在广东-新加坡互助理事会第十三次集会上得胜签约。
本次集会在新加坡乌节大栈房工作座谈会，广东省省长王伟中，驻新加坡大使孙海燕，广州市委常委、黄埔区委布告、广州开辟区管委会主任陈杰，新加坡卫生部部长王乙康，新加坡商业及产业部，文明、社区及年青部部长陈圣辉等带领加入集会并致辞。研讨院党委布告刘丰雷、院长协理吕鹏和广州第三代半导体立异中间履行主任刘志宏加入集会。集会上，刘丰雷代表西安电子科技大学广研院与新加坡ICCT签订共建和谈。
西安电子科技大学广研院与ICCT将配合制造国内国际一流第三代半导体进步前辈封装手艺研发平台、中试平台、财产融会平台和高条理人材培育基地。
氮化镓器件和集成电路进步前辈封装手艺研讨中间的树立，是西安电子科技大学广研院成长结构的主要计谋行动，是“产学研”互助国内国际化的初次冲破，西安电子科技大学广研院在办事湾区电子音讯财产成长的门路上又迈出了踏实的一步，西安电子科技大学广研院将联袂ICCT配合为广东省及粤港澳大湾区社会经济高质地成长作孝敬。
据悉，ICCT由Yew Chee Kiang（杨志强）博士于2013年景立于新加坡，是一家努力于供给半导体封装质料和封装手艺办事的中袖珍企业。手艺团队首要来由自天下着名半导体企业如德州仪器、宇芯半导体、英飞凌、住矿等的行业资深专门工程师构成，手艺团队富厚的行业经历使本公司更领会客户需要，可觉得客户供给更多条理、更高效、更低本钱的办理计划。公司客户普遍散布于天下各地，包罗美国德州仪器（Texas Insoundents），欧洲恩智浦（NXP）、意法半导体星空体育官方网，日本Rohm（罗姆）、爱普生（Epson）、住友（Sumitomo）、精工（Seiko），马来西亚宇芯、密特（Metek），华夏陆地洛科质料，台湾Cirtek等着名半导体公司。
开创人Yew Chee Kiang（杨志强）博士结业于英国思克莱德（Universety of Stworkhclyde）大学，在半导体封装范畴耕作多年，经历富厚。曾任AdcamperPack Solutions Pte Ltd（新加坡）手艺总监兼欧洲地区墟市总监，主办研发半导体封装手艺与新客户开辟。
6月29日，珠海市产业和音讯化局宣布了2023年“创客广东”珠海市中小企业立异梦想大赛预赛评审后果，此中入围的包罗一个GaN名目。
按照通告，珠海方唯成半导体主宰的“氮化镓自支持衬底名目”得胜入围决赛。今朝该名目还未表露更多音讯，“里手说三代半”将连续跟进该名目停顿，敬请存眷。
企查查显现，方唯成半导体树立于2022年4月，为珠海经济特区方源无限公司的控股子公司（持股比率85%）。
“里手说三代半”挖掘，本年5月，方源公司还对外新增服务投资滨州镓元新质料无限公司（持股比率 20%）。镓元新质料旗下有一个金属镓名目——
镓元新质料已租用汇宏新质料的40亩地皮，投资1.5亿元扶植氧化铝原矿讨取镓元素名目。今朝该名目已落户，达产后将年产120吨金属镓。
7月3日，印度迷信研讨所(IISc) 在扶植 GaN 中间名目，为此订购了牛津仪器的全套等离子体处领会决计划——包罗原子层蚀刻 (ALE)、电感耦合等离子体 (ICP) 蚀刻模块、等离子体加强化学气相堆积 (PECVD)。
据悉，这套氮化镓等离子体加工办理计划将用于开辟下一代GaN-on-Si 和 GaN-on-SiC 高功率和高频功率电子器件和射频器件，以供给更好的效力和机能。
7月6日，据台媒动静，台湾省经济部今天颁布发表，将斥资28亿新台币（约6.48亿钱）投资一家晶圆代工场，在新竹迷信园区增设氮化镓器件及砷化镓器件主动化产线。
据悉，该晶圆代工场具有能干的硅基半导体代工经历，并努力于开拓化合物半导体财产的新结构，但今朝未表露该代工场的更多音讯。
另外，该GaN与GaAs的产线扶植，还将在厂衡宇顶装配太阳能板，有用晋升绿电利用比率，慢慢落实减碳排。
东科半导体名目：总投资12.25亿，年产1亿只超高频AC/DC电源办理芯片，5000万只GaN电源模组
据悉，这次进来利用的新厂区占地52亩，新建厂房5.1万平方米，首要处置氮化镓超高频AC/DC电源办理芯片、氮化镓利用模组封装线的研发、出产和发卖。全数达产后，估计可实行年发卖支出10亿元。
据“里手说三代半”此前报导，该名目于2020年10月会合完工，总投资为12.25亿元，首要扶植尺度GMP干净厂房、办公楼、研发楼等，新增服务2条GaN超高频AC/DC电源办理芯片封装线条GaN利用模组封装线亿只超高频AC/DC电源办理芯片，5000万只GaN电源模组。
2021年6月，该GaN名目尺度化厂房一期1栋厂房第一区段主体构造封顶。
德州人材成长团体揭晓动静称，7月17日下战书，第三代半导体氮化镓及碳化硅芯片想象与创制名目落地演讲会在德州（北京）合资立异中间得胜举行。
北京博神微电子科技无限公司董事长兼总司理林福荣等4位公司卖力人和手艺老手，天衢新区投资增进部副部长党英鹏，天衢新区高端设备财产招商局副局长孙东江加入漫谈，德州人材成长团体副总司理戴元滨伴随并主办，中间卖力同道介入连接。
集会上，北京博神微电子董事长林福荣先容了企业概略，并要点先容了第三代半导体氮化镓及碳化硅芯片想象与创制名目的焦点合作力、产物墟市拓展环境，和将来在德州落地的方案和需要。
终究，天衢新区和博神微电子环绕鞭策名目赶快落地停止了深切的相同和好商，告竣开始互助梦想。
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